[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200610074189.4 | 申请日： | 2006-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1855369A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 奥拉夫·斯托贝克;延斯·哈恩;斯文·施米德鲍尔;于尔根·福卢;弗兰克·雅库博斯基;托马斯·舒斯特 | 申请（专利权）人： | 印芬龙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/43 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王仲贤 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的方法包括步骤：提供衬底；在衬底的顶部上形成介电层；在介电层的顶部上沉积非晶半导体层；对非晶半导体层掺杂；以及对非晶层施加高温步骤以从所述非晶半导体形成结晶层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括步骤：(a)提供衬底；(b)在衬底的顶部上形成介电层；(c)在介电层的顶部上形成非晶半导体层；(d)对非晶半导体层掺杂；以及(e)对非晶层施加高温步骤以从所述非晶半导体层形成结晶半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
