[发明专利]栅电极叠层和栅电极叠层的使用无效
| 申请号： | 200610074341.9 | 申请日： | 2006-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1845336A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | U·埃格尔;M·戈德巴赫;吴东平 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件中的衬底上的栅电极叠层，其包括具有下述的栅极导体：a)至少一个多晶硅层，和b)至少一个多晶Si1－xGex材料层。本发明还涉及工艺。由于实现了终点检测，因此能够有效地刻蚀这种结构。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 使用 | ||
【主权项】：
1.在半导体器件中的衬底上的栅电极叠层，包括具有下述的栅极导体：a)至少一个多晶硅层，和b)至少一个多晶Si1-xGex材料层。
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