[发明专利]使用氯制造集成电路内的沟渠介电层无效

申请号：	200610074542.9	申请日：	2006-04-27
公开（公告）号：	CN1893015A	公开（公告）日：	2007-01-10
发明（设计）人：	钟·董;泰鹏·李	申请（专利权）人：	茂德科技股份有限公司（新加坡子公司）
主分类号：	H01L21/762	分类号：	H01L21/762;H01L21/316;H01L21/822;H01L27/04
代理公司：	北京连和连知识产权代理有限公司	代理人：	薛平
地址：	新加坡O***	国省代码：	新加坡;SG
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	于基底隔离沟渠(134)的蚀刻前，形成掺入氯的垫氧化层(110)于硅基底(120)上。当第一氧化硅衬层(150.1)以热工艺形成于该沟渠表面上时，该氯可以增加沟渠顶端角落的圆角化(140C)。掺有氯的第二氧化硅衬层(150.2)以化学气相沉积方式沉积于第一衬层(150.1)上，接着，第三衬层(150.3)以热工艺成长形成。控制第二衬层(150.2)的氯浓度与三衬层(150.1、150.2、150.3)的厚度，以改善角落的圆角化程度，而不至于过度损耗主动区域(140)。
搜索关键词：	使用制造集成电路沟渠介电层
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【主权项】：

1.一种制造集成电路的方法，其特征是该方法包含：(a)形成第一氧化硅层于硅基底上，该第一氧化硅层包含3原子百分比以上的氯；(b)移除该第一氧化硅层的第一部分以及该硅基底的底层部分，以于该硅基底形成沟渠；以及(c)形成第一介电层于该沟渠内，其中形成该第一介电层包含氧化该硅基底，以形成第二氧化硅层于该沟渠的表面上，而该第一氧化硅层的第二部分覆盖邻近该沟渠的该基底。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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