[发明专利]发光二极管多层金属一次电极的制造方法及其制造装置无效
| 申请号： | 200610074543.3 | 申请日： | 2006-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101064352A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 廖奇德 | 申请（专利权）人： | 曜富科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/28;C23C14/04 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周春发 |
| 地址： | 台湾省苗*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明为一种多层金属一次电极的制造方法及其制造装置，其将磊晶片清洗后放入制造装置内，以进行多层金属电极的制造，该制造装置至少包含：一承载体、一磁性组件、一载具、一磁性光罩以及复数个金属源，以将磊晶片由载具承载利用磁性光罩所设的接触窗，使复数个金属源以金属镀膜沉积方式，透过接触窗的沉积即可形成多层金属电极，本发明无需将使用习知的黄光微影制程及化学金属蚀刻制程，即可简单快速地完成制造，并兼顾优良的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 多层 金属 一次 电极 制造 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1、一种多层金属一次电极的制造方法，其特征在于，至少包含以下步骤：a、将磊晶片清洗；b、将磊晶片放入一制造装置的载具中，并于晶片上方设有一具有接触窗的磁性光罩；c、以由装有不同金属材料的复数金属源，利用金属镀膜沉积方法，依序将金属材料透过接触窗，在磊晶片上堆栈形成多层金属电极；以及d、移除该制造装置。
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