[发明专利]化合物半导体激光器件无效
| 申请号： | 200610074649.3 | 申请日： | 2006-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1855653A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 大柜义德 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/343;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化合物半导体激光器件，所述化合物半导体激光器件具有第一导电类型的半导体衬底和依次形成于衬底上的多个层。所述多个层包括第一导电类型的第一和第二覆层、第二导电类型的第三覆层，以及第二和第三覆层之间的有源层。所述第二覆层的载流子浓度低于所述第一覆层的载流子浓度。例如，所述第一覆层的载流子浓度为1×1018cm－3到2×1018cm－3 (包括端值)，而所述第二覆层的载流子浓度为1×1017cm－3到5×1017cm－3 (包括端值)。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体激光器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的所述第一导电类型的第一覆层；形成于所述第一覆层上且载流子浓度低于所述第一覆层的载流子浓度的所述第一导电类型的第二覆层；形成于所述第二覆层上的有源层；以及形成于所述有源层上的第二导电类型的第三覆层。
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