[发明专利]具有叠层内偏置的磁传感器无效
| 申请号： | 200610074760.2 | 申请日： | 2006-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1838246A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | V·B·萨波日尼科夫 | 申请（专利权）人： | 西加特技术有限责任公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种磁传感器，包括具有检测层的传感器叠层。第一偏置结构具有第一磁化矢量，与传感器叠层相邻设置，用来产生偏置检测层的偏置场。第二偏置结构具有第二磁化矢量，其相对于检测层定位在传感器叠层内，用来对抗在检测层中心的偏置场。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 叠层内 偏置 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种磁传感器，包含：包括检测层的传感器叠层；第一偏置结构，具有第一磁化矢量，定位于临近传感器叠层，用来产生偏置检测层的偏置场；以及第二偏置结构，具有第二磁化矢量，相对于检测层定位在传感器叠层中，用来对抗在检测层的中心部分的偏置场。
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