[发明专利]制造半导体器件的方法以及用于该方法的导电组合物无效
| 申请号： | 200610074807.5 | 申请日： | 2006-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1873836A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | Y·L·王;R·J·S·扬;A·F·卡洛尔;K·W·汉 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01B1/20 | 分类号： | H01B1/20;H01B1/14;C03C3/062;H01L31/0224;H01L31/18;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 徐迅 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种厚膜导电组合物，其含有：(a)导电银粉；(b)含锌添加剂，其中所述含锌添加剂的粒径为7纳米－小于100纳米；(c)玻璃料，其中所述玻璃料的软化点为300－600℃；(d)有机介质，其中(a)、(b)、(c)分散在(d)中。本发明还涉及一种半导体器件和从结构构件制造半导体器件的方法，所述结构构件由具有p－n结的半导体和形成于所述半导体主表面上的绝缘膜组成，所述方法包括以下步骤：(a)将上述的厚膜组合物施加于所述绝缘膜之上；和(b)烧制所述半导体、绝缘膜和厚膜组合物以形成电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 以及 用于 导电 组合 | ||
【主权项】：
1.一种厚膜导电组合物，其包含分散于d)有机介质中的：a)导电银粉；b)含锌添加剂，所述含锌添加剂的粒径为7纳米-小于100纳米；c)玻璃料，所述玻璃料的软化点为300-600℃。
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