[发明专利]用于增强PFET迁移率的埋有台阶的SiGe结构无效
| 申请号： | 200610075119.0 | 申请日： | 2006-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1855535A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 幸山裕亮 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李春晖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请涉及用于增强PFET迁移率的埋有台阶的SiGe结构，具体的是一种器件及其制造方法。该器件包括具有埋置SiGe层(14)的PFET，其中该SiGe层的浅的部分(15)更靠近PFET沟道(2)，而该SiGe层的深的部分(16)更远离PFET沟道。这样，SiGe层在朝着沟道的那侧的边界变薄。这种结构允许PFET沟道受到更大的压应力，而不会显著降低延伸结特性。所述逐渐变薄的SiGe边界可以被构成为多个分立的台阶。例如，可以形成两个、三个或者多个分立台阶。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增强 pfet 迁移率 台阶 sige 结构 | ||
【主权项】：
1.具有PFET的半导体器件，该PFET包括：具有PFET沟道的硅本体；设置在沟道的第一侧上、具有面对沟道的多台阶边界的第一SiGe层部分；以及设置在沟道的相对的第二侧上、具有面对沟道的多台阶边界的第二SiGe层部分。
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