[发明专利]改进性能的功率半导体器件及其方法有效
| 申请号： | 200610075127.5 | 申请日： | 2006-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN1855543A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 加里·H·勒歇尔;彼德·J·兹德贝尔 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施方案中，半导体器件被形成在半导体材料的本体中。此半导体器件包括分隔于沟道区的反掺杂的漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 性能 功率 半导体器件 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，它包含：具有主表面的衬底，其中，衬底包含第一导电类型；重叠部分主表面的基座结构；沿基座结构侧面设置以确定半导体器件第一导电电极的边沿的导电材料；形成在第一导电电极附近的主表面中的第二导电类型的第一掺杂区，其中，当半导体器件工作时，部分第一掺杂区构成沟道区；形成在第一掺杂区中的第一导电类型的电流承载区；形成在沟道区漏边沿附近的衬底中的第二导电类型的第二掺杂区，以及耦合到第二掺杂区的第一导电层。
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