[发明专利]具有页复制功能的半导体存储装置有效
| 申请号： | 200610075132.6 | 申请日： | 2002-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1838324A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 河合鉱一;今宫贤一;中村宽 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有页复制功能的半导体存储装置，用读出/锁存电路读出并锁存从对应于复制源的页地址的存储单元阵列的一页大小的存储单元中读出的数据。该读出/锁存电路有多个锁存电路，这些锁存电路利用列地址进行地址指定。改写用的数据被供给用列地址进行了地址指定的锁存电路，改写用的数据被锁存在该被进行了地址指定的锁存电路中，进行数据的改写。数据改写后的一页大小的数据被写入与复制方的页地址对应的存储单元阵列内的页中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 复制 功能 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储装置，包括：包含两页的存储单元阵列；以及设置成读出存储在上述存储单元阵列的一页中的数据且改写上述读出的数据的一部分并将上述改写的数据写入上述存储单元阵列的另一页中的控制电路；其中，上述一页中的数据的一部分不同于上述存储单元阵列的另一页中的数据的相应部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610075132.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
