[发明专利]半导体器件和其制造方法无效
| 申请号： | 200610075149.1 | 申请日： | 2006-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1855536A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 按田义治;田村彰良;西辻充 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的场效应晶体管，具备：沟道层，形成在半绝缘性衬底上；肖特基层，形成在沟道层上；栅电极，形成在肖特基层上；欧姆接触层，形成在肖特基层上，在中间夹着栅电极，由InGaAs形成；以及源电极和漏电极，形成在欧姆接触层上；源电极、漏电极和栅电极，形成对应的层由相同材料构成的层积结构，最下层为WSi层，在最下层的上层具有包含Al的层。由此，提供具有与过去相同程度的电极阻抗，可以降低场效应晶体管的制造成本的场效应晶体管及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，其特征在于，具有：沟道层，形成在半绝缘性衬底上；肖特基层，形成在上述沟道层上；栅电极，形成在上述肖特基层上；欧姆接触层，形成在上述肖特基层上，在中间夹着上述栅电极，由InGaAs形成；以及源电极和漏电极，形成在上述欧姆接触层上；上述源电极、上述漏电极和上述栅电极，形成对应的层由相同构成材料构成的层积结构，最下层为WSi层，在上述最下层的上层具有包含Al的层。
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