[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610075163.1 | 申请日： | 2006-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1855492A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 相宗史记 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L27/108;H01L29/78;H01L21/822;H01L21/8242;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林森;谷惠敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有在由半导体硅基板上的氧化膜和栅布线限定的各个预定位置中提供的升高的源/漏结构的半导体装置，其中升高的源/漏结构的上端部的形状沿垂直于半导体硅基板的方向在半导体硅基板上的正投影图像基本上与由半导体硅基板上的相应的氧化膜和栅布线限定的预定形状一致，并且升高的源/漏结构的沿平行于半导体硅基板的平面剖开的横截面沿垂直于半导体硅基板的方向在半导体硅基板上的正投影图像的至少之一大于由半导体硅基板上的相应的氧化膜和栅布线限定的预定形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：(1)在半导体硅基板上的预定位置中提供的氧化膜；(2)在所述半导体硅基板上提供的栅布线；和(3)从升高的源结构和漏突出结构组成的组中选择的至少一种结构(此后称之为“升高的源/漏结构”)，所述升高的源结构被提供于由半导体硅基板上的氧化膜和栅布线限定的预定位置中并且与栅布线的侧壁接触，所述漏突出结构被提供于由半导体硅基板上的氧化膜和栅布线限定的预定位置中并且与所述栅布线的侧壁接触，其中，所述升高的源/漏结构的上端部的形状沿垂直于半导体硅基板的方向在半导体硅基板上的正投影图像基本上与由半导体硅基板上的氧化膜和栅布线限定的预定形状一致，并且所述升高的源/漏结构沿平行于半导体硅基板的平面剖开的横截面沿垂直于半导体硅基板的方向在半导体硅基板上的正投影图像的至少之一大于由半导体硅基板上的氧化膜和栅布线限定的预定形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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