[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种制造半导体器件的方法，其促进了硅化物层的薄层电阻的减小和结漏电流产生的减小。根据本发明的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：通过利用预定的温度曲线，在溅射设备中在硅衬底的器件形成表面上形成一层一硅化二钴(Co₂Si)或一层钴(Co)的第一操作；在形成该Co或Co₂Si层之后进行的，将该硅衬底的温度提升到预定温度T2的第二操作，该预定温度T2等于或高于600℃；以及在将该硅衬底的温度加热到T2之后进行的，在等于或高于T2范围内的温度下，在该硅衬底的该器件形成表面上形成一层一硅化一钴(CoSi)的第三操作，其中，在将该硅衬底的温度提升到T2时，在形成该Co或Co₂Si层时的该硅衬底的最高可达到温度T1和该温度T2之间的温度范围内，以等于或高于50℃/秒的温度斜坡率提升该硅衬底的温度。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：通过利用预定的温度曲线，在溅射设备中，在硅衬底的器件形成表面上形成钴(Co)或一硅化二钴(Co2Si)层，在所述形成该Co或Co2Si层之后，将所述硅衬底的温度提升到等于或高于600℃的预定的温度T2，以及在所述的将该硅衬底的温度提升到T2之后，在等于或高于T2范围内的温度下，在所述硅衬底的所述器件形成表面上形成一硅化一钴(CoSi)层，其中，在将所述硅衬底的温度提升到T2时，在所述形成该Co或Co2Si层时的所述硅衬底的最高可达到温度T1和所述温度T2之间的温度范围内，以等于或高于50℃/秒的温度斜坡率提升所述硅衬底的温度。