[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

经由栅极绝缘膜3在半导体衬底1的上方形成栅电极10，该栅电极10具有形成于栅电极10顶表面上的第一绝缘层5。在半导体衬底1上，以覆盖栅电极10的侧壁和第一绝缘层5顶表面这样的方式形成第二绝缘层7。为了在栅电极10的侧壁上形成侧壁间隔物11以及暴露出元件区的表面，回蚀刻第二绝缘层7。将第一绝缘层5移离栅电极10的表面。在半导体衬底1的表面上，以覆盖栅电极10的顶表面和源－漏区1b表面这样的方式形成高熔点金属膜8，且其后，进行退火由此硅化栅电极10的顶表面和源－漏区1b的表面，以形成硅化层9。根据本发明，即使栅电极的高度制作得低，也能防止栅电极和源－漏区之间的短路。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底的表面上，形成用于将元件区与其它元件区分离的元件隔离区；经由栅极绝缘膜在半导体衬底的上方形成栅电极，该栅电极具有形成于栅电极顶表面上的第一绝缘层；在半导体衬底上，以覆盖栅电极的侧壁和第一绝缘层的顶表面这样的方式来形成第二绝缘层；为了在栅电极的侧壁上形成侧壁间隔物以及暴露出元件区的表面，回蚀刻第二绝缘层；利用栅电极和侧壁间隔物作为掩模，将杂质离子注入到元件区的表面中，以在半导体衬底的表面上和栅电极的两侧形成一对源-漏区；将第一绝缘层移离栅电极的表面；在半导体衬底的表面上，以覆盖栅电极的顶表面和源-漏区表面这样的方式来形成高熔点金属膜，且其后，进行退火从而硅化栅电极的顶表面和源-漏区的表面，以形成硅化层；以及移除仍未反应的高熔点金属膜。