[发明专利]高压半导体装置、半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 200610075255.X | 申请日： | 2006-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1953209A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 田威廉;陈富信;林瑞文;伍佑国 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。本发明的实施例包括形成第一掺杂区与第二掺杂区。第一掺杂区与第二掺杂区可形成作为高压N型金属氧化物半导体晶体管的双扩散漏极架构。第一掺杂区的栅极侧边缘设置于部分栅电极的下方。第二掺杂区形成于第一掺杂区内，且相邻于栅电极。第二掺杂区的栅极侧边缘与最接近的栅电极间隙壁的侧壁相距第一距离。第二掺杂区的隔离区侧边缘与最接近的隔离区的侧壁相距第二距离。本发明可有效地改进HVMOS的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高压半导体装置，包括：主动区，设置于半导体基底中，其中上述主动区通过隔离区而被隔离；栅电极，设置于上述主动区上方；至少一介电层，设置于上述栅电极的侧壁的上方；一对间隙壁，设置于上述介电层上；第一掺杂区，设置于上述主动区内，其中上述第一掺杂区包括设置于上述间隙壁之一下方的部分以及相邻于上述间隙壁之一的部分；以及第二掺杂区，大体设置于与上述间隙壁之一相邻的部分上述第一掺杂区内，其中上述第二掺杂区与上述间隙壁之一隔离。
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