[发明专利]采用再布线技术而形成于半导体基板上的差动放大电路无效
| 申请号： | 200610075325.1 | 申请日： | 2006-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1848668A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 中村政则;小岛严 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/45 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种形成在半导体基板上的差动放大电路，第一与第二晶体管构成差动放大电路的差动对。第一与第二焊盘分别与所述第一及第二晶体管的发射极连接。所述第一及第二焊盘分别通过第一及第二再布线层连接在所述第一及第二外部接地端子上并接地。所述第一及第二再布线层优选互相连接。另外，所述第一及第二晶体管的基极优选分别经由第一及第二电阻而连接在第一及第二偏置电路上。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 布线 技术 形成 半导体 基板上 差动 放大 电路 | ||
【主权项】：
1.一种差动放大电路，其形成于半导体基板上，包括：第一晶体管及第二晶体管，其构成差动放大电路的差动对；第一及第二焊盘，其分别与所述第一及第二晶体管的发射极或源极连接；第一及第二外部接地端子；和第一及第二再布线层，其分别将所述第一及第二焊盘分别与所述第一及第二外部接地端子连接而接地。
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