[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种在存储节点中具有改进的结构从而具有稳定的开关特性的非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括开关器件和与该开关器件耦接的存储节点。该存储节点包括第一电极、第二电极、数据存储层、以及至少一个接触层。该数据存储层设置在该第一电极与该第二电极之间且包括过渡金属氧化物或者铝氧化物。所述至少一个接触层设置在该数据存储层之上或之下，且包括导电金属氧化物从而改善该数据存储层与该第一电极之间以及该数据存储层与该第二电极之间的界面特性。

主权项

1.一种非易失性存储器件，包括：开关器件；以及存储节点，其与该开关器件耦接，该存储节点包括：第一电极；第二电极；数据存储层，其设置在该第一电极与该第二电极之间且包括过渡金属氧化物或铝氧化物；以及至少一个接触层，其设置在该数据存储层之上或之下且由导电金属氧化物形成从而改善该数据存储层与该第一电极之间以及该数据存储层与该第二电极之间的界面特性。