[发明专利]浸润式光刻技术的方法无效
| 申请号： | 200610075346.3 | 申请日： | 2006-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101055423A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 林思闽 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种浸润式光刻技术的方法，在施用浸润液(体)的同时，利用一预先处理程序，经由(区域性地)预先处理部分晶片表面，而使得被处理的晶片表面可轻易被后续施用的浸润液(体)所湿润。该预先处理程序包括使用一预先处理液(体)或进行一表面处理程序，以帮助强化晶片或光致抗蚀剂表面的特定区域对浸润液(体)的可湿性或亲水性。 | ||
| 搜索关键词： | 浸润 光刻 技术 方法 | ||
【主权项】：
1.一种浸润式光刻方法，包括下列步骤：提供包括至少一光致抗蚀剂层的一晶片至一浸润式光刻系统；针对该晶片上的该光致抗蚀剂层表面的第一区域进行一预先处理程序，并同时提供一液体覆盖该光致抗蚀剂层表面的第二区域且该液体位于该光致抗蚀剂层表面与该浸润式光刻系统的一透镜之间，其中该第一区域环绕于该第二区域之外，而该光致抗蚀剂层表面的第一区域与该液体直接接触且对于该液体有可湿性；以及在该液体位于该光致抗蚀剂层表面与该浸润式光刻系统的该透镜之间的情况下，对于该光致抗蚀剂层表面的第二区域进行一曝光步骤。
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