[发明专利]制造熔丝相变随机存取存储器的方法有效
| 申请号： | 200610075512.X | 申请日： | 2006-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1881641A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜;陈士弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 钟胜光 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造一存储器元件的方法，包括在一基材上形成一电极层，其包含以前端工艺制造的电路。为形成每一相变存储器单元，电极层包含一第一电极、一第二电极及介于第一及第二电极间的绝缘部。为形成每一相变存储器单元，在电极层的顶表面、跨越绝缘部形成一存储器材料桥。藉由在该桥上形成图案化导电层，及在该第一电极及该图案化导电层间形成接触，以在该电极层上形成一存取结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 相变 随机存取存储器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造一存储器元件的方法，包括：形成有一顶表面的一电极层，该电极层包含一第一电极及一第二电极及介于该第一及第二电极间的一绝缘部，其中该第一及第二电极及该绝缘部延伸至该电极层的该顶表面，且该绝缘部在该顶表面、该第一及该第二电极间具有一宽度；在该电极层的该顶表面上，形成跨越该绝缘部的一存储器材料桥，该桥包含有一第一端及一第二端的一存储器材料区块(patch)，且在该第一端与该第一及第二电极接触，该桥在该第一及第二电极间、跨越该绝缘(insulting)部定义一电极间路径(inter-electrode path)，且该电极间路径具有由该绝缘部的宽度定义的一路径长度，其中该存储器材料至少具有两固相。
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