[发明专利]用于半导体装置的具有SCR结构的ESD保护电路无效

专利信息
申请号: 200610075532.7 申请日: 2006-04-19
公开(公告)号: CN1855494A 公开(公告)日: 2006-11-01
发明(设计)人: 森下泰之 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 梁晓广;陆锦华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种ESD保护结构,其具有:连接到焊盘(11)的第一P型半导体区域(7);与第一P型半导体区域(7)耦合的第一N型半导体区域(5,6);与第一N型半导体区域(5)耦合并连接到接地端子(12)的第二P型半导体区域(1,9);与第二P型半导体区域(1,9)耦合并连接到接地端子(12)的第二N型半导体区域(8);和触发电路(13),构造该触发电路以便当电涌施加到焊盘(11)时从第一N型半导体区域(5)引出触发电流。触发电路(13)通过电阻元件(31)连接到第一N型半导体区域(5,6)。
搜索关键词: 用于 半导体 装置 具有 scr 结构 esd 保护 电路
【主权项】:
1.一种ESD保护结构,其包括:连接到焊盘的第一P型半导体区域;与所述第一P型半导体区域耦合的第一N型半导体区域;与所述第一N型半导体区域耦合并连接到接地端子的第二P型半导体区域;与所述第二P型半导体区域耦合并连接到接地端子的第二N型半导体区域;触发电路,其被构造用于当电涌施加到所述焊盘时从所述第一N型半导体区域引出触发电流,其中,所述触发电路通过电阻元件连接到所述第一N型半导体区域。
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