[发明专利]用于半导体装置的具有SCR结构的ESD保护电路无效
申请号: | 200610075532.7 | 申请日: | 2006-04-19 |
公开(公告)号: | CN1855494A | 公开(公告)日: | 2006-11-01 |
发明(设计)人: | 森下泰之 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 梁晓广;陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种ESD保护结构,其具有:连接到焊盘(11)的第一P型半导体区域(7);与第一P型半导体区域(7)耦合的第一N型半导体区域(5,6);与第一N型半导体区域(5)耦合并连接到接地端子(12)的第二P型半导体区域(1,9);与第二P型半导体区域(1,9)耦合并连接到接地端子(12)的第二N型半导体区域(8);和触发电路(13),构造该触发电路以便当电涌施加到焊盘(11)时从第一N型半导体区域(5)引出触发电流。触发电路(13)通过电阻元件(31)连接到第一N型半导体区域(5,6)。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 装置 具有 scr 结构 esd 保护 电路 | ||
【主权项】:
1.一种ESD保护结构,其包括:连接到焊盘的第一P型半导体区域;与所述第一P型半导体区域耦合的第一N型半导体区域;与所述第一N型半导体区域耦合并连接到接地端子的第二P型半导体区域;与所述第二P型半导体区域耦合并连接到接地端子的第二N型半导体区域;触发电路,其被构造用于当电涌施加到所述焊盘时从所述第一N型半导体区域引出触发电流,其中,所述触发电路通过电阻元件连接到所述第一N型半导体区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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