[发明专利]基于应变SiGe沟道的高速、高抗辐照的铁电存储器无效
| 申请号： | 200610075925.8 | 申请日： | 2006-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN1921005A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 刘道广;任天令;谢丹;许军;刘理天;陈弘毅;徐世六 | 申请（专利权）人： | 清华大学;中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;H01L27/115;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于微电子器件范围的一种基于应变SiGe沟道的高速、高抗辐照的铁电存储器。铁电存储器的单元结构是由M1管串接铁电电容Cf1和M2串接铁电电容Cf2，然后两个铁电电容连接在一起后接至驱动线PL，M1、M2的栅极串接后接至字线WL，M1、M2的源极或漏极分别连接位线BL和位线BLB；BL，BLB再和灵敏放大器SA连接，其中M1、M2为N－MOS管。本发明将应变SiGe用作P－MOS管的沟道，提高沟道中空穴迁移率，从而提高P－MOS管的工作速度，以便与N－MOS的速度相匹配，因此铁电存储器以其非挥发、低功耗、高速存取、高耐重写、高安全性等突出优点，应用广泛，可望取代现有半导体存储器，市场潜力大。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 应变 sige 沟道 高速 辐照 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种基于应变SiGe沟道的高速、高抗辐照的铁电存储器，其特征在于，所述铁电存储器是将铁电薄膜材料与CMOS集成工艺相兼容制成；所述铁电存储器的单元结构是由M1管串接铁电电容Cf1和M2串接铁电电容Cf2，然后两个铁电电容连接在一起后接至驱动线PL，M1、M2的栅极串接后接至字线WL，M1、M2的源极或漏极分别位线BL和位线BLB；BL，BLB再和灵敏放大器SA连接。
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