[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200610076090.8 | 申请日： | 2004-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1855496A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 伊藤贵之 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L27/02;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体衬底上不发生滑移和缺陷，而可以形成浅pn结的半导体器件。硅衬底上形成元件区域和元件隔离区域，元件区域上形成栅绝缘膜和栅电极。以栅电极为掩模，形成注入源漏杂质的源漏杂质区域。进行不让源漏杂质扩散，恢复源漏杂质区域晶体性的热处理。在元件隔离区域、硅衬底和栅电极上形成层间绝缘膜。介以层间绝缘膜对硅衬底照射层间绝缘膜不吸收而由硅衬底吸收的光加热硅衬底，不让源漏杂质扩散，但激活源漏杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，特征在于包括：具有多个元件区域的硅衬底；设于所述硅衬底表面，隔离所述元件区域的元件隔离区域；设于所述元件区域的所述硅衬底上的栅绝缘膜；设于所述栅绝缘膜上的栅电极；具有设于包括所述硅衬底表面的所述元件区域，与所述元件区域的导电型不同的导电型的源漏杂质区域；设于所述栅绝缘膜下方的碳化硅层或氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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