[发明专利]叠层型光电动势装置有效
申请号: | 200610076165.2 | 申请日: | 2006-04-26 |
公开(公告)号: | CN1855553A | 公开(公告)日: | 2006-11-01 |
发明(设计)人: | 岛正树;斋藤真知绘 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种可以提高输出特性的叠层型光电动势装置。该叠层型光电动势装置包括:第二发电单元,包括具有第一折射率的第二半导体层、由用作光电转换层的非晶半导体层构成第三半导体层;中间层,在第一发电单元和第二发电单元之间形成,具有第二折射率;促进反射层,在中间层和第二发电单元的第二半导体层之间形成,具有第三折射率,其与第一折射率的折射率差,大于第二折射率与第一折射率的折射率差。 | ||
搜索关键词: | 叠层型光 电动势 装置 | ||
【主权项】:
1.一种叠层型光电动势装置,包括:第一发电单元,包括用作光电转换层的第一半导体层;第二发电单元,包括在所述第一发电单元上形成的、具有第一折射率的第一导电型的第二半导体层;在所述第二半导体上形成的、由用作光电转换层的实质上的本征非晶半导体层构成的第三半导体层;在所述第三半导体层上形成的第二导电型的第四半导体层;中间层,在所述第一发电单元和所述第二发电单元之间形成,具有第二折射率;促进反射层,在所述中间层和所述第二发电单元的第二半导体层之间形成,具有第三折射率,其与所述第二半导体层的第一折射率的折射率差,大于所述中间层的第二折射率与所述第二半导体层的第一折射率的折射率差。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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