[发明专利]利用偶极效应调制纳米级场效应晶体管的输运特性的方法有效
| 申请号： | 200610076198.7 | 申请日： | 2006-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1851928A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 吴健;杨莉;段文晖;顾秉林 | 申请（专利权）人： | 北京芯技佳易微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 100084北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及利用偶极效应调制纳米级场效应晶体管的输运特性的方法，属于纳米级场效应晶体管技术领域。本方法包括：在纳米级场效应晶体管的源极和漏极的表面形成偶极层，用以改变器件本体B区或A区的静电势；选择该电极表面的偶极层的强度，使得电子或空穴在B区的隧穿几率最大或利于电子或空穴从电极注入到器件本体的A区；调节门电压控制场效应晶体管的导通和关闭。本发明采用直接调制金属表面的特性，有效地提高了纳米器件的输运性能。且在工艺上比制作针尖状的电极和分段的门极更容易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 效应 调制 纳米 场效应 晶体管 输运 特性 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用偶极效应调制纳米级场效应晶体管的输运特性的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在纳米级场效应晶体管的源极和漏极的侧表面形成偶极层，用以改变器件本体B区的静电势；2)选择该电极侧表面的偶极层的尺寸和强度，使得电子或空穴在所述B区的隧穿几率最大；3)调节门电压控制场效应晶体管的导通和关闭。
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