[发明专利]采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法

摘要

一种采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法，包括如：在衬底上依次生长典型的HEMT材料结构和RTD材料结构；光刻出RTD发射区的图形制备AuGeNi金属层，形成RTD金属发射极；光刻，形成有源区；光刻出HEMT的源漏电极；高温退火；光刻出HEMT栅槽图形刻蚀掉部分重掺杂帽层；在器件表面淀积生长一层钝化介质层；光刻出HEMT的栅电极图形生成TiPtAu金属作为HEMT器件的栅电极；光刻出引线孔；光刻出引线互连区域，蒸发或溅射厚TiAlTiAu金属电极，去胶剥离。

主权项

1、一种采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上采用分子束外延或金属有机化学气相电极的方法依次生长典型的HEMT材料结构和RTD材料结构；步骤2：光刻出RTD发射区的图形，采用蒸发或溅射的方法制备AuGeNi金属层，去胶剥离，形成RTD金属发射极；步骤3：采用非选择ICP干法刻蚀技术，以RTD金属发射极作为掩蔽，刻蚀RTD结构到重掺杂的InGaAs收集区接触层；步骤4：采用高选择性的湿法腐蚀液去除残余的InGaAs层，露出中间的选择性腐蚀停止层；步骤5：去除选择性腐蚀停止层；步骤6：光刻，形成有源区，采用ICP干法刻蚀技术刻蚀有源区外部分至半绝缘InP衬底，去胶；步骤7：光刻出HEMT的源漏电极，蒸发或溅射AuGeNi金属制备HEMT源电极、漏电极；步骤8：在保护气体气氛下实行快速高温退火；步骤9：光刻出HEMT栅槽图形，采用选择性ICP干法刻蚀技术刻蚀掉部分重掺杂帽层，刻蚀停止于InAlAs势垒上，去胶；步骤10：在器件表面淀积生长一层钝化介质层；步骤11：光刻出HEMT的栅电极图形，挖去部分的钝化介质层，采用蒸发或溅射的方法生成TiPtAu金属作为HEMT器件的栅电极；步骤12：光刻出引线孔，挖去金属电极上面的钝化介质层，去胶；步骤13：光刻出引线互连区域，蒸发或溅射厚TiAlTiAu金属电极，去胶剥离。