[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200610076530.X 申请日: 2006-04-28
公开(公告)号: CN1855451A 公开(公告)日: 2006-11-01
发明(设计)人: 小林智树;岛田纪治;井上明宜;加治木笃典;加藤広幸;清水浩 申请(专利权)人: 新光电气工业株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/552;H01L21/56
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 顾红霞;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开一种半导体装置及其制造方法,其中,在难以形成导电薄膜的密封树脂上布置树脂层,该树脂层与导电薄膜的附着力高于该密封树脂与导电薄膜的附着力,并且在该树脂层上布置电连接至电子元件的图案配线。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:基板;电子元件,其安装在所述基板上;密封树脂,其用于密封所述电子元件;树脂层,其布置在所述密封树脂上,并且所述树脂层与导电薄膜的附着力高于所述密封树脂与所述导电薄膜的附着力;以及导电图案,其布置在所述树脂层上,并电连接至所述电子元件。
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