[发明专利]一种有源驱动TFT矩阵结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200610076557.9 | 申请日： | 2006-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101064317A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 陈旭 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马晶晶 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种有源驱动TFT矩阵结构，包括：栅线、栅电极、栅极绝缘层、有源层、源漏电极、数据线及像素电极，其特征在于：在源电极与像素电极搭接处下方，有一段形成栅电极时形成的栅岛。本发明同时还公开了该有源驱动TFT矩阵结构的制造方法，其特征在于：形成栅线和栅电极的同时，在后续步骤形成源电极对着部位周边形成一段独立的栅岛。通过本发明的改良结构和采用该改良结构的工艺，能够有效减少像素电极与源电极的断裂几率，并同时能够增大工艺自由度，减少工艺缺陷，提高成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有源 驱动 tft 矩阵 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种有源驱动TFT矩阵结构，包括：栅线、栅电极、栅极绝缘层、有源层、源漏电极、数据线及像素电极，其特征在于：在源电极与像素电极搭接处下方，有一段形成栅电极时形成的栅岛。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610076557.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：改进结构的刷板机
- 下一篇：一种带电磁炉的钢质面板结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
