[发明专利]倒装芯片发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200610076901.4 | 申请日： | 2006-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1858921A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 黄硕珉;金制远;朴英豪;高健维;金智烈;朴正圭;闵垘基 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及倒装芯片发光二极管及其制造方法，可以将集中在邻近n型电极的部分上的电流引导至发光部的中心，因此增强电流散布效应，从而提高发光二极管芯片的发光效率。制造倒装芯片发光二极管的方法包括：在光学透明衬底上顺序形成n型氮化物半导体层、有源层、和p型氮化物半导体层；蚀刻有源层和p型氮化物半导体层的预定区域，并露出n型氮化物半导体层的多个区域，以形成多个台面；蚀刻位于形成的台面之间的有源层和p型氮化物半导体层的预定区域，并露出n型氮化物半导体层的多个区域，以形成多个凹槽；在凹槽表面上形成绝缘层；越过p型氮化物半导体层的上部和在凹槽表面上形成的绝缘层，形成p型电极；以及在形成的台面上形成n型电极。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 芯片 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造倒装芯片发光二极管的方法，包括：在光学透明衬底上顺序形成n型氮化物半导体层、有源层、和p型氮化物半导体层；蚀刻所述有源层和p型氮化物半导体层的预定区域并且露出所述n型氮化物半导体层的多个区域，以形成多个台面；蚀刻位于所形成的台面之间的所述有源层和p型氮化物半导体层的预定区域，并且露出所述n型氮化物半导体层的多个区域，以形成多个凹槽；在所述凹槽的表面上形成绝缘层；越过所述p型氮化物半导体层的上部和在所述凹槽的表面上形成的所述绝缘层，形成p型电极；以及在所形成的台面上形成n型电极。
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