[发明专利]相位偏移光掩模坯料、相位偏移光掩模及其制造方法有效
申请号: | 200610076905.2 | 申请日: | 2006-04-25 |
公开(公告)号: | CN1862377A | 公开(公告)日: | 2006-11-15 |
发明(设计)人: | 稻月判臣;吉川博树;丸山保;冈崎智 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/00;C23C14/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在对曝光光线透明的基板(1)上设置层合2层由金属硅化物的化合物(2a、2b)组成的层的相位偏移多层膜(2)。而且,在表面侧的金属硅化物的化合物(2b)表面上形成氧化稳定化层(2c)。相位偏移多层膜(2)中基板侧(下面)的层(2a)是金属组成相对高的金属硅化物的化合物,上面的层(2b)是金属组成相对低的金属硅化物的化合物。氧化稳定化层(2c)的金属含量为下面的层(2a)的金属含量的1/3或1/3以下(摩尔比),为低金属组成,化学稳定性优异,显示高耐药品性。下面的层(2a)由具有较高金属含量的金属硅化物的化合物膜构成,因此,容易控制相位偏移多层膜的光学特性,能得到所希望的光学特性。 | ||
搜索关键词: | 相位 偏移 光掩模 坯料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种相位偏移掩模坯料,该掩模坯料具有层合n层由金属硅化物的化合物组成的层而构成的相位偏移多层膜和设置在该相位偏移多层膜的最表面的氧化稳定化层,从上述相位偏移多层膜的基板侧开始的第m层和第(m+1)层的金属及硅的组成变化量都小于或等于5摩尔%,同时,上述氧化稳定化层表面区域的金属含量为上述相位偏移多层膜中含金属最多的层的金属含量的1/3或1/3以下(摩尔比),此处,n为大于或等于2的整数,m为满足1≤m≤(n-1)的整数。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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