[发明专利]用于制造半导体器件的方法

摘要

一种用于制造半导体器件的方法包括在半导体衬底中形成第一、第二以及第三器件结构。每个器件结构包括第一膜、在该第一膜之上的第二膜、以及在该第二膜之上的第三膜。该第一及第三器件结构是器件隔离结构。该第二器件结构的一部份被蚀刻以界定位线接触区域，该位线接触区域从该第二器件结构的上表面延伸至该第二器件结构的下表面。该第二器件结构的第二膜被蚀刻以在该第一及第二膜之间界定底切空间。半导体层被形成在该底切空间以及位线接触区域之内。该第二器件结构的第三膜被蚀刻或移除以界定凹槽，该凹槽界定栅极区域。栅极结构至少部分被形成在该凹槽之内。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：(a)在具有垫绝缘膜的半导体衬底中形成器件隔离结构以界定储存节点接触区域，其中该器件隔离结构包括第一氧化膜、氮化膜以及第二氧化膜的堆叠结构；(b)蚀刻该器件隔离结构的一部份，以界定位线接触区域并且露出该半导体衬底；(c)蚀刻在该位线接触区域中露出的氮化膜，以在该器件隔离结构中形成用于栅极沟道的底切空间，该器件隔离结构相邻于该位线接触区域；(d)利用该露出的半导体衬底作为晶种层以形成选择性的外延生长层，其中该选择性的外延生长层填入该位线接触区域以及该底切空间；(e)移除该器件隔离结构的第二氧化膜以界定凹槽，该凹槽界定栅极区域；(f)在该凹槽之内形成栅极绝缘膜；(g)在该栅极绝缘膜之上形成栅极导电层，该栅极导电层基本填满该凹槽；(h)在该栅极导电层之上提供图案化的硬掩模层；以及(i)利用该图案化的硬掩模层来构图该栅极导电层，以形成栅极结构。