[发明专利]单次可编程存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种单次可编程存储器，其包括基底、多个隔离结构、第一晶体管与第二晶体管。隔离结构设置于基底中，定义出有源区。各隔离结构上具有凹陷，使隔离结构顶面低于基底顶面。第一晶体管设置于基底的有源区上，且延伸至该凹陷侧壁，第一晶体管的栅极为选择栅极。第二晶体管设置于基底的有源区上，与第一晶体管串接。第二晶体管的栅极为浮置栅极，此浮置栅极呈区块状横跨于隔离结构之间的基底上，且延伸至凹陷侧壁。

主权项

1、一种单次可编程存储器，包括：基底；多个隔离结构，设置于所述基底中，定义出有源区，各所述隔离结构上具有凹陷，使所述些隔离结构顶面低于所述基底顶面；第一晶体管，设置于所述有源区上，且延伸至所述凹陷侧壁，所述第一晶体管的栅极为选择栅极；以及第二晶体管，设置于所述有源区上，与所述第一晶体管串接，所述第二晶体管的栅极为浮置栅极，所述浮置栅极呈区块状横跨于所述有源区的基底上，且延伸至所述凹陷侧壁。