[发明专利]离子束测量装置无效
| 申请号： | 200610077063.2 | 申请日： | 2006-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101064265A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 林世文;蔡庆文;吴书明;徐大镇 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G06M1/00;H01J37/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种离子束测量装置，此装置加入了一个石墨套筒以包覆测量杯体内壁，因此可防止其内壁的溅射物质不致剥落，进而减少异物的产生，并延长测量杯体的寿命，且由于石墨套筒可直接取出更换，而降低工作人员清洗的负担与危险，达到节省人力及保养成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 离子束 测量 装置 | ||
【主权项】：
1、一种离子束测量装置，包括：杯体，具有凹槽，该凹槽具有离子束接收面及内壁，其中该离子束接收面适于接收离子束，并测量该离子束的粒子计数；以及石墨套筒，适于嵌入该凹槽以包覆该内壁，并曝露出该离子束接收面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
