[发明专利]静电放电保护电路有效
申请号: | 200610077118.X | 申请日: | 2006-04-27 |
公开(公告)号: | CN1953178A | 公开(公告)日: | 2007-04-25 |
发明(设计)人: | 蒂莫西·戴维斯 | 申请(专利权)人: | 威盛电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 蒲迈文;黄小临 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种使一电路免于静电放电伤害的保护电路和方法。其中该方法包括检测一受保护电路的电源是否启动并于电路电源启动时禁能该电路的输出驱动器。该ESD保护电路包含一ESD感测电路和一禁能电路。ESD感测电路包含一连接于VDD和VSS间的RC电路以及一连接于一第二反相器和一节点间的第一反相器,该节点于RC电路中连接一电阻和一电容。禁能电路包含第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管,该第一PMOS晶体管自第二反相器接收一EN信号,而第一NMOS晶体管自第一反相器接收一PMOS晶体管连接一第二PMOS晶体管至VDD,而当EN为高电位时第一NMOS晶体管连接一第二NMOS晶体管至VSS。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】:
1.一种使一半导体芯片免于静电放电事件伤害的保护电路,包含:一ESD感测电路,包含一RC电路、一第一反相器、和一第二反相器,该RC电路连接于VDD和VSS之间,该第一反相器连接于该第二反相器和该RC电路之间,该第二反相器的输出提供一致能信号EN,该第一反相器的输出提供一信号,其为EN的反相;以及一禁能电路,用以接收该EN和信号并可禁能该半导体芯片的一输出驱动器的晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的