[发明专利]制造光耦合器的方法无效

专利信息
申请号: 200610077133.4 申请日: 2006-04-27
公开(公告)号: CN1881552A 公开(公告)日: 2006-12-20
发明(设计)人: 秋元成 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/56;H01L31/12;H01L25/16
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李晓舒;魏晓刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种具有设置在单个硅衬底上的多个光电耦合器的多通道单片芯片,其被安装在绝缘衬底上,通过在构成光电耦合器的发光元件和光接收元件之间进行切割来形成第一切槽,将透明绝缘树脂填充到第一切槽内并然后通过在相邻光电耦合器之间进行切割来形成第二切槽,发光元件和光接收元件的每个利用键合线与外部端子相连,并且利用遮光树脂模制整个绝缘衬底。
搜索关键词: 制造 耦合器 方法
【主权项】:
1.一种用于制造具有多个光电耦合器的光耦合器的方法,所述光电耦合器每个包括发光元件和光接收元件对,所述方法包括:在绝缘衬底上安装多通道单片芯片的步骤,所述芯片具有形成在单个半导体衬底上的多个所述光电耦合器,通过在构成所述绝缘衬底上所述芯片内的光电耦合器的所述发光元件和所述光接收元件之间切割第一切槽使所述发光元件和所述光接收元件绝缘和分离的步骤,将透明绝缘树脂填充到所述第一切槽内的步骤,通过在所述相邻光电耦合器之间切割第二切槽分离所述各个光电耦合器的步骤,以及利用键合线使每个所述发光元件和每个所述光接收元件与外部端子连接并利用遮光树脂模制整个所述绝缘衬底的步骤。
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