[发明专利]制造光耦合器的方法无效
申请号: | 200610077133.4 | 申请日: | 2006-04-27 |
公开(公告)号: | CN1881552A | 公开(公告)日: | 2006-12-20 |
发明(设计)人: | 秋元成 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/56;H01L31/12;H01L25/16 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒;魏晓刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种具有设置在单个硅衬底上的多个光电耦合器的多通道单片芯片,其被安装在绝缘衬底上,通过在构成光电耦合器的发光元件和光接收元件之间进行切割来形成第一切槽,将透明绝缘树脂填充到第一切槽内并然后通过在相邻光电耦合器之间进行切割来形成第二切槽,发光元件和光接收元件的每个利用键合线与外部端子相连,并且利用遮光树脂模制整个绝缘衬底。 | ||
搜索关键词: | 制造 耦合器 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造具有多个光电耦合器的光耦合器的方法,所述光电耦合器每个包括发光元件和光接收元件对,所述方法包括:在绝缘衬底上安装多通道单片芯片的步骤,所述芯片具有形成在单个半导体衬底上的多个所述光电耦合器,通过在构成所述绝缘衬底上所述芯片内的光电耦合器的所述发光元件和所述光接收元件之间切割第一切槽使所述发光元件和所述光接收元件绝缘和分离的步骤,将透明绝缘树脂填充到所述第一切槽内的步骤,通过在所述相邻光电耦合器之间切割第二切槽分离所述各个光电耦合器的步骤,以及利用键合线使每个所述发光元件和每个所述光接收元件与外部端子连接并利用遮光树脂模制整个所述绝缘衬底的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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