[发明专利]光二极管的封装基座结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200610077184.7 | 申请日： | 2006-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN1851945A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 温安农;郑静琦;陈志明 | 申请（专利权）人： | 矽畿科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/12;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60;H01S5/022 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明为一种光二极管的封装基座结构及其制作方法，其步骤主要是在基板的第一表面与第二表面上形成第一掩模层与第二掩模层；在该第一掩模层与该第二掩模层上定义出第一开口与第二开口，该第一开口的面积大于第二开口；对该基板进行湿式蚀刻，进而完成具有承载空间以及至少两个导通孔的光二极管封装基座结构，其中该承载空间的顶部开口位于基板的该第一表面，其底部用以承载该光二极管，而这些导通孔的底部开口位于该基板的该第二表面，其顶部连通于该承载空间的底部，且该导通孔的侧壁与该承载空间的底部交界处至少具有一斜面结构。本发明克服了现有技术的导电层断层的问题，且在整体结构上还能使在封装光二极管时产生的不合格率大大的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 封装 基座 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种光二极管的封装基座制作方法，该方法包含下列步骤：提供一基板；分别在该基板的第一表面与第二表面上形成第一掩模层与第二掩模层；在该第一掩模层与该第二掩模层上定义出第一开口与第二开口，该第一开口的面积大于第二开口；对该基板进行湿式蚀刻，进而分别于该第一开口处与该第二开口处分别形成供光二极管放置的承载空间与至少两个导通孔，使这些导通孔的顶部连通至该承载空间的底部；以及对该基板继续进行湿式蚀刻，以除去该承载空间的底部与该导通孔的侧壁交界处的尖锐边缘而形成至少一斜面。
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