[发明专利]压缩性氮化物层的制造方法和形成晶体管的方法有效
| 申请号： | 200610077218.2 | 申请日： | 2006-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101064254A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 陈能国;蔡腾群;黄建中 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种压缩性氮化物层的制造方法，包括进行一化学气相沉积工艺，以于一基底上形成一氮化物层，其特征是在化学气相沉积工艺期间通入特定气体，而这种特定气体是选自包括氩气、氮气、氪气和氙气的其中一种气体或其组合。由于添加上述特定气体，所以可降低压缩应力，并进而增加PMOS驱动电流增益。 | ||
| 搜索关键词： | 压缩性 氮化物 制造 方法 形成 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种压缩性氮化物层的制造方法，包括进行化学气相沉积工艺，以于基底上形成氮化物层，其特征在于：在该化学气相沉积工艺期间通入特定气体，其中该特定气体是选自包括氩气、氮气、氪气和氙气的其中一种气体或其组合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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