[发明专利]薄膜晶体管、显示装置以及电子装置的制造方法无效
| 申请号： | 200610077222.9 | 申请日： | 2006-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1855396A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 荒井康行;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在形成薄膜晶体管过程中，形成在质量上优于常规CVD方法形成的薄膜，并在不影响衬底的温度下使形成的薄膜在质量上等于或优于通过热氧化方法形成的薄膜。在玻璃衬底设置在大于或等于100摄氏度且低于玻璃衬底的应变点的温度条件下，至少对玻璃衬底、以预定图案形成的包含非晶硅的半导体薄膜、栅电极和从该栅电极引出的引线、将作为栅绝缘薄膜的绝缘薄膜以及保护薄膜其中之一执行低电子温度和高电子密度的等离子体氧化或等离子体氮化。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示装置 以及 电子 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管制造方法，包括以下步骤：在玻璃衬底上形成基绝缘薄膜；在该基绝缘薄膜上形成包含非晶硅的半导体薄膜的图案；在玻璃衬底温度设置在大于或等于100摄氏度且低于玻璃衬底的应变点的温度条件下，通过对包含非晶硅的半导体薄膜执行等离子体氧化或等离子体氮化而形成栅绝缘薄膜，以及在该栅绝缘薄膜之上形成栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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