[发明专利]非易失性半导体存储装置有效
| 申请号： | 200610077234.1 | 申请日： | 2006-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1866544A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 石井元治;远藤诚一 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在非易失性存储单元(MC；MC0，MC1)中，与存储单元晶体管(MT)串联连接选择晶体管(ST)。该选择晶体管为2层栅极结构，分别驱动各栅极(G1，G2)的电压。使用这些选择晶体管的层叠栅极电极间的电容耦合，将选择晶体管的栅极电位设定为预定的电压电平。可减小选择晶体管栅极电压产生部的产生电压电平的绝对值，降低消费电流，此外，可减小电压产生部的版面设计面积。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储装置，具有：存储单元晶体管，非易失地存储数据；选择晶体管，与所述存储单元晶体管串联连接，并且具有相互直线对准配置并可对每个设定电压电平的第1以及第2的导电层，导通时，可读出所述存储单元晶体管的存储数据；第1电压设定电路，设定所述选择晶体管的第1导电层的电压；和第2电压设定电路，设定所述选择晶体管的第2导电层的电压。
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