[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610077303.9 | 申请日： | 2006-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1893027A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 陈向东;拉杰什·伦加拉詹 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232;H01L27/082 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李春晖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体器件及其制造方法。该方法包括对高电压阈值区域和低电压阈值区域进行掺杂。该方法还包括在低电压阈值区域和高电压阈值区域上形成栅极结构并且保护在低电压阈值区域上的栅极结构。在保持对低电压阈值区域上的栅极结构的保护的同时在高电压阈值区域上进行硅化工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造器件的方法，该方法包括：对形成在衬底中的低电压阈值区域和高电压阈值区域进行掺杂；在低电压阈值区域和高电压阈值区域上形成栅极结构；保护在低电压阈值区域上的栅极结构；并且在保持对低电压阈值区域上的栅极结构的保护的同时在高电压阈值区域上进行硅化工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
