[发明专利]具有U－形浮栅的快闪存储器的制造方法无效
| 申请号： | 200610077306.2 | 申请日： | 2006-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1855446A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 韩政男;金东灿;姜昌珍;池京求;沈雨宽;李晓山;洪昌基;崔相俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种具有U－形浮栅的快闪存储器的制造方法。该方法包括形成被间隙隔开的相邻隔离层以及在该间隙中形成隧道氧化物层。在隧道氧化物层上形成导电层至不填充间隙的厚度之后，在导电层上形成抛光牺牲层。隔离层上的牺牲层和导电层被除去，由此形成在间隙中自对准的U－形浮栅，以及同时在浮栅内部内形成牺牲层图形。然后凹陷选择的隔离层，以露出浮栅的侧壁。然后从浮栅除去牺牲层图形，以露出浮栅的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 形浮栅 闪存 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造快闪存储器的方法，包括：在衬底上形成隔离层，其中相邻隔离层的上表面部分被间隙隔开；在衬底上的间隙中形成隧道氧化物层；在隧道氧化物层上形成导电层至不完全内填充间隙的厚度；在导电层上形成牺牲层以完全内填充间隙；有选择地除去牺牲层和导电层，以由间隙中的导电层形成U-形浮栅，以及同时由浮栅内部内的牺牲层形成牺牲层图形；有选择地凹陷至少一个隔离层，以露出浮栅的侧壁；以及从浮栅除去牺牲层图形，以露出浮栅的上表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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