[发明专利]发光元件的制造方法、半导体激光器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610077337.8 | 申请日： | 2002-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN1848564A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 近藤贵幸 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/18 | 分类号： | H01S5/18;H01S5/183;H01S5/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种沿衬底的垂直方向发射光的表面发光型发光元件的制造方法，包括以下工序(a)～(e)：(a)腐蚀多层膜的至少一部分来形成柱状部的工序，(b)形成覆盖柱状部的第1树脂层的工序，(c)改变第1树脂层相对于液体中的溶解度来形成第2树脂层的工序，(d)在溶解第2树脂层的液体中，至少将柱状部和第2树脂层浸渍规定时间，在第2树脂层中至少除去在柱状部上形成的部分的工序，(e)使第2树脂层固化来形成绝缘层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 制造 方法 半导体激光器 及其 | ||
【主权项】：
1.一种表面发光型半导体激光器，在半导体衬底上形成谐振器，沿所述半导体衬底的垂直方向发射光，该表面发光型半导体激光器包括：构成所述谐振器的至少一部分的柱状部；以及覆盖所述柱状部侧面的绝缘层；所述绝缘层包含填料。
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