[发明专利]用于激光和受激拉曼频移的钼酸盐晶体及其制备方法和用途无效
申请号: | 200610077605.6 | 申请日: | 2006-04-11 |
公开(公告)号: | CN101054728A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 龚兴红;林炎富;黄艺东;陈雨金;罗遵度;谭奇光 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | C30B29/32 | 分类号: | C30B29/32;C30B15/00;H01S3/16 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 350002福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 用于激光和受激拉曼频移的钼酸盐晶体及其制备方法和用途,涉及光电子晶体材料领域。分子式为R2xBi2(1-x)(MoO4)3(R=Ti、Cr、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb等,x介于0到1之间),R3+作为激活离子,采用提拉法生长。该类激光晶体物化性能稳定,在空气中不潮解,制备成本较低。还具有将单一波长入射激光转变成一系列间隔为声子频率的激光输出的受激拉曼频移效应。 | ||
搜索关键词: | 用于 激光 受激拉曼频移 钼酸 晶体 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】:
1.一种用于激光和受激拉曼频移的钼酸盐晶体,其特征在于:分子式为R2xBi2(1 -x)(MoO4)3,R=Ti、Cr、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm或Yb,x介于0到1之间,该晶体为单斜晶系,空间群为P21/c,晶体的单胞参数为a=7.685,b=11.491,c=11.929,β=115.4°,D=6.26g/cm3,晶胞参数随x值的变化而有细微变化。
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