[发明专利]具有分离的吸收和倍增区的基于半导体波导的雪崩光电检测器

摘要

公开了一种基于半导体波导的光接收器。依照本发明的各方面的一种装置包括沿光波导限定的吸收区。该吸收区包括具有第一折射率的第一类半导体材料。该装置还包括沿光波导限定的倍增区。该倍增区靠近该吸收区，但与其分离。该倍增区包括具有第二折射率的第二类半导体材料。第一折射率大于第二折射率，使得通过光波导传输的光束从倍增区拉向吸收区并在吸收区中吸收，以从光束产生电子－空穴对。该倍增区包括沿光波导限定的第一和第二掺杂区。该第一和第二掺杂区具有相反的极性以创建电场来倍增吸收区中产生的电子。

主权项

1.一种装置，包括：沿光波导限定的吸收区，所述吸收区包括具有第一折射率的第一类半导体材料；以及沿所述光波导限定的、靠近所述吸收区但与其分离的倍增区，所述倍增区包括具有第二折射率的第二类半导体材料，所述第一折射率大于所述第二折射率，使得通过所述光波导传输的光束从所述倍增区拉向所述吸收区，并在所述吸收区中吸收，以从所述光束产生电子-空穴对，所述倍增区包括沿所述光波导限定的第一和第二掺杂区，所述第一和第二掺杂区具有相反的极性，以产生电场来倍增在所述吸收区中产生的电子。