[发明专利]闪存器件的制造方法无效
| 申请号： | 200610077722.2 | 申请日： | 2006-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN1851884A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 李熙耆 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种闪存器件的制造方法，所述方法包括的步骤为：顺序地在半导体衬底上形成隧道氧化物膜、氧化物膜和第一导电层；在第一导电层的晶粒之间渗透第一蚀刻剂以在氧化物膜中形成多个纳米晶点；使用第二蚀刻剂去除第一导电层，其中在去除第一导电层的工艺期间，通过第二蚀刻剂去除部分的氧化物膜的纳米晶点，由此在氧化物膜中形成多个纳米晶形成孔；用非导电层填充多个孔来形成分别具有隔离形状的多个纳米晶；在包括多个纳米晶的氧化物膜上顺序形成介质层和第二导电层；以及顺序构图第二导电层、介质层、包括纳米晶的氧化物膜和隧道氧化物膜。可以避免或最小化由于隧道氧化物膜或介质层中的存在的缺陷引起的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种闪存器件的制造方法，所述方法包括的步骤为：顺序地在半导体衬底上形成隧道氧化物膜、氧化物膜和第一导电层；在所述第一导电层的晶粒之间渗透第一蚀刻剂以在所述氧化物膜中形成多个纳米晶点；使用第二蚀刻剂去除所述第一导电层，其中在去除所述第一导电层的工艺期间，通过所述第二蚀刻剂去除部分的所述氧化物膜的纳米晶点，由此在所述氧化物膜中形成多个纳米晶形成孔；用非导电层填充所述多个孔来形成分别具有隔离形状的多个纳米晶；在包括所述多个纳米晶的氧化物膜上顺序地形成介质层和第二导电层；以及顺序地构图所述第二导电层、所述介质层、包括所述纳米晶的氧化物膜和所述隧道氧化物膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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