[发明专利]低速电子射线用荧光体、其制造方法与荧光显示管无效
| 申请号： | 200610077765.0 | 申请日： | 2006-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1855177A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 辻齐;北村仁美 | 申请（专利权）人： | 则武伊势电子株式会社;诺利塔克股份有限公司 |
| 主分类号： | G09F9/00 | 分类号： | G09F9/00;C09K11/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是通过添加作为少量的赋予导电性材料的导电性氧化物纳米粒子，采用简单的制造工序提供可以提高辉度的低速电子射线用荧光体，其制造方法与使用该低速电子射线用荧光体的荧光显示管，该荧光显示管在荧光体粒子表面粘附着导电性氧化物纳米粒子，上述导电性氧化物纳米粒子的平均粒径是5～100nm，上述导电性氧化物纳米粒子相对于荧光体全部含0.01～10重量％，荧光显示管使用上述低速电子射线用荧光体。 | ||
| 搜索关键词： | 低速 电子 射线 荧光 制造 方法 显示 | ||
【主权项】：
1.低速电子射线用荧光体，其特征在于，包括低速电子射线用荧光体粒子和粘附在该荧光体粒子表面上的导电性氧化物，其中前述导电性氧化物是平均粒径5～100nm的导电性氧化物纳米粒子，该纳米粒子独立地粘附在前述荧光体粒子表面上。
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