[发明专利]存储单元阵列及其制造方法

摘要

存储单元阵列包括其中形成了多个存储单元的多个有源区域。存储单元包括存储电容器、至少部分地形成于具有衬底表面的半导体衬底中的晶体管，该晶体管包括第一源/漏区。第二源/漏区与衬底表面相邻地形成，沟道区连接第一和第二源/漏区。该第一源/漏区与衬底表面相邻地形成。该沟道区设置在半导体衬底以及栅电极中。多行有源区域通过沿着第一方向延伸的隔离槽相互隔离。第一和第二字线设置在多行有源区域中每一个的两横向侧上。该第一和第二字线通过相应行有源区域的晶体管的栅电极相互连接。

主权项

1.一种具有多个存储单元的存储单元阵列，该存储单元阵列包括：多个有源区域，形成于具有衬底表面的半导体衬底中，每一个有源区域具有沿着第一方向延伸的两个横向侧，多行有源区域通过沿着第一方向延伸的隔离槽相互分离，每个存储单元包括存储电容器，晶体管，至少部分地形成于有源区域中的一个中，该晶体管包括第一源/漏区，其与存储电容器的电极连接，第一源/漏区与衬底表面相邻地形成，第二源/漏区，与衬底表面相邻地形成，沟道区，连接第一和第二源/漏区，该沟道区设置在有源区域中，该沟道区沿着第一方向延伸；和栅电极，沿着沟道区设置且通过栅隔离层与沟道区电性隔离，该栅电极控制在第一和第二源/漏区之间流动的电流，其中第一和第二字线设置在该多行有源区域的每一行的两横向侧上，该第一和第二字线通过相应行有源区域的晶体管的栅电极相互连接。