[发明专利]半导体存储器及半导体存储器的存取方法有效
| 申请号： | 200610077864.9 | 申请日： | 1998-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1845251A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 中村孝 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;G11C5/00;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种使用了铁电体层的半导体存储器，包括：存储单元，由在栅极和半导体层之间具有铁电体层的铁电体存储FET组成；缓冲单元，可复制该存储单元的数据；和缓冲电路，把上述存储单元的数据复制到上述缓冲单元并把该被复制的数据再次写入到上述存储单元。这样，可以利用缓冲单元定期刷新存储单元的数据，因此，不会使数据消失并可以长时间保持数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 存取 方法 | ||
【主权项】：
1、一种使用了铁电体层的半导体存储器，包括：存储单元，由在栅极和半导体层之间具有铁电体层的铁电体存储FET组成；缓冲单元，可复制该存储单元的数据；和缓冲电路，把上述存储单元的数据复制到上述缓冲单元并把该被复制的数据再次写入到上述存储单元。
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