[发明专利]液晶显示装置的阵列面板及其制造方法有效
| 申请号： | 200610078295.X | 申请日： | 2002-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1866091A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 金容完;朴东振 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;陈红 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造液晶显示装置的阵列面板的方法，包括：利用第一掩模在基板上形成栅极线和栅极；按顺序在基板上形成栅绝缘层、非晶硅层、掺杂质的非晶硅层和金属层；利用第二掩模形成有源层、欧姆接触层、数据线、源极和漏极；利用第三掩模形成钝化层；和利用第四掩模在钝化层上形成像素电极，其中位于源极和漏极之间的沟道区域具有“U”形，其中第二掩模包括多个阻塞图案和精确图案，阻塞图案对应于数据线、源极和漏极，而精确图案对应于沟道区域，并且阻塞图案和精确图案形成第一和第二狭缝，从而使得邻近漏极的狭缝其拐角宽度比第一狭缝和第二狭缝的其它部分窄。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 阵列 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造液晶显示装置的阵列面板的方法，包括：利用第一掩模在基板上形成栅极线和栅极；按顺序在基板上形成栅绝缘层、非晶硅层、掺杂质的非晶硅层和金属层；利用第二掩模形成有源层、欧姆接触层、数据线、源极和漏极；利用第三掩模形成钝化层；和利用第四掩模在钝化层上形成像素电极，其中位于源极和漏极之间的沟道区域具有“U”形，其中第二掩模包括多个阻塞图案和精确图案，阻塞图案对应于数据线、源极和漏极，而精确图案对应于沟道区域，并且阻塞图案和精确图案形成第一和第二狭缝，从而使得邻近漏极的狭缝其拐角宽度比第一狭缝和第二狭缝的其它部分窄。
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