[发明专利]基底清洁和干燥方法及装置有效

专利信息
申请号: 200610078330.8 申请日: 2006-05-11
公开(公告)号: CN1870218A 公开(公告)日: 2006-11-29
发明(设计)人: 赵重根;尹沧老;具教旭 申请(专利权)人: 细美事有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 代理人: 武玉琴;张友文
地址: 韩国忠*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供一种通过将基底浸入清洁化学品或清洗液体等清洁液体中然后干燥基底来清洁半导体晶片等基底的装置和方法。本发明的基底清洁和干燥装置包括处理室,该处理室包括清洁室和位于清洁室上方的干燥室,该清洁室盛放着清洁液体并在底部处将清洁液体排放出去。所述处理室还包括用于将供给到干燥室的气体从干燥室排出的排放装置。所述排放装置位于清洁室与干燥室之间,并强制排出气体,使得气体在干燥室内垂直向下流动。本发明的基底清洁和干燥装置在干燥室中基底表面上方产生基本垂直且均匀的气流,而且从干燥室迅速排出气体,因此,提高了干燥过程的效率。
搜索关键词: 基底 清洁 干燥 方法 装置
【主权项】:
1.一种基底清洁和干燥装置,包括:用于对基底进行清洁过程的清洁室;用于对基底进行干燥过程的干燥室,该干燥室位于清洁室上方;用于在清洁室与干燥室之间输送基底的输送装置;位于干燥室内的气体供给装置,该气体供给装置用于供给干燥晶片用的气体;以及位于清洁室与干燥室之间的排放装置,该排放装置用于从干燥室强制排出气体,使得气体在干燥室内基本垂直向下流动。
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