[发明专利]一种裸晶及其制造方法无效
| 申请号： | 200610078458.4 | 申请日： | 2006-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1851865A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 董玟昌 | 申请（专利权）人： | 董玟昌 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/28;H01L21/60;H01L23/482 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄威;张金海 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种裸晶的制造方法，在裸晶的制备过程中先对制程基材预制贯穿该制程基材的半穿隧式电路接点，再继续进行裸晶制备过程，使得所制成的裸晶至少具有一个半穿遂式电路接点贯穿的裸晶的制程基材，但不贯穿该裸晶，且该半穿遂式电路接点的一端构成该制程基材背面的电路衔接点，而半穿遂式电路接点的另一端与该裸晶的内层电路相连接；这种裸晶结构具有多样性的电路衔接点布局及设计，可以减少裸晶的封装体积，而且更容易做裸晶的堆栈封装及系统整合封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种裸晶的制造方法，在裸晶的制备过程中，先对制程基材预制贯穿或不贯穿该制程基材的半穿隧式电路接点，再继续进行裸晶制备过程，以制得一种裸晶的制程基材背面具有电路衔接点的裸晶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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